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Memória Notebook Kingston 16GB DDR4 3200 MHz 1,2V SODIMM - KVR32S22S8/16
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Memória Notebook Kingston 16GB DDR4 3200 MHz 1,2V SODIMM - KVR32S22S8/16

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Vale observar: Memória RAM Notebook Kingston 16GB DDR4 3200 MHz SODIMM CL22 - KVR32S22S8/16 O KVR32S22S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-3200 de 2G x 64 bits, sendo baseado em oito componentes FBGA de 2G x 8 bits. Cada DIMM da memória possui 288 pinos e o SPD é programado para a latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Características Memória 16GB DDR4 SODIMM 3200 MHz Kingston - Marca: Kingston - Modelo: KVR32S22S8/16 Especificações Memória para Notebook 16GB DDR4 KVR32S22S8/16 Kingston - Fonte de alimentação: VDD = 1,2V típica - VDDQ = 1,2V típico - VPP = 2,5V típico - VDDSPD = 2,2V a 3,6V - Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara - Auto-atualização de baixa potência (LPASR) - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados - Geração e calibração de VREFDQ na matriz - Single-rank - EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD) - 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada - Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) - Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) - Topologia fly-by - Comando de controle terminado e barramento de endereç
Preço informado como verificado em 10 de novembro de 2026. Preço e disponibilidade não são confirmados em tempo real.
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Memória RAM Notebook Kingston 16GB DDR4 3200 MHz SODIMM CL22 - KVR32S22S8/16 O KVR32S22S8/16 da Kingston é um módulo de memória SODIMM DDR4-3200 de 2G x 64 bits, sendo baseado em oito componentes FBGA de 2G x 8 bits. Cada DIMM da memória possui 288 pinos e o SPD é programado para a latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Características Memória 16GB DDR4 SODIMM 3200 MHz Kingston - Marca: Kingston - Modelo: KVR32S22S8/16 Especificações Memória para Notebook 16GB DDR4 KVR32S22S8/16 Kingston - Fonte de alimentação: VDD = 1,2V típica - VDDQ = 1,2V típico - VPP = 2,5V típico - VDDSPD = 2,2V a 3,6V - Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para dados, strobe e sinais de máscara - Auto-atualização de baixa potência (LPASR) - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados - Geração e calibração de VREFDQ na matriz - Single-rank - EEPROM de detecção de presença serial I2 on-board (SPD) - 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada - Corte de burst fixo (BC) de 4 e comprimento de burst (BL) de 8 através do conjunto de registro de modo (MRS) - Selecionável BC4 ou BL8 on-the-fly (OTF) - Topologia fly-by - Comando de controle terminado e barramento de endereç